Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HP8MA2TB1
HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- HP8MA2
HP8MA2TB1 Hakkında
HP8MA2TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET dizisidir. 30V Drain-Source gerilim desteği ile 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Düşük on-resistance değerleri (N-channel: 9.6mΩ @ 18A, P-channel: 17.9mΩ @ 15A) sayesinde enerji tasarrufu sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama konvertörleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok