Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HP8M51TB1
HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- HP8M51TB
HP8M51TB1 Hakkında
HP8M51TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen düşük on-resistance özellikli N ve P-Channel MOSFET dizi bileşenidir. 100V drain-to-source gerilim (Vdss) ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 170mOhm ile 290mOhm arasında değişen on-resistance değerleri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montaj paketi içinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. -150°C işletim sıcaklığına kadar çalışabilir ve 3W maksimum güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok