Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HP8M31TB1
HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- HP8M31TB1
HP8M31TB1 Hakkında
HP8M31TB1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi transistördür. Düşük on-resistance özelliği ile tasarlanmış olan bu komponent, 8.5A sürekli drenaj akımı ve 60V drain-source gerilimi sağlar. 65-70mOhm arasında RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 3W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve aydınlatma sistemlerinde kullanılır. Surface Mount tipi 8-PowerTDFN paketinde sunulan HP8M31TB1, 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir ve aktif üretimde olan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok