Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HP8KA1TB

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
HP8KA1TB

HP8KA1TB Hakkında

HP8KA1TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörleri içeren bir entegre devredir. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 14A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle, yüksek akım anahtarlaması gerektiren uygulamalarda kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. Surface mount HSOP8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 3W güç dağıtma kapasitesine ve 150°C çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok