Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HP8K22TB

30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
HP8K22TB

HP8K22TB Hakkında

HP8K22TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. Half-bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 27A/57A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.6mOhm (10V, 20A) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu mid-power MOSFET, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan HP8K22TB, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A, 57A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok