Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
HN3C10FUTE85LF
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- HN3C10
HN3C10FUTE85LF Hakkında
HN3C10FUTE85LF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. 12V çalışma voltajı ve 7GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80mA maksimum collector akımı ve 200mW maksimum güç kapasitesine sahiptir. 1.1dB noise figure ve 11.5dB kazanç özellikleri ile RF amplifier, low noise amplifier (LNA) ve yüksek frekans sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Surface mount 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) paketine sahiptir ve endüstriyel frekans uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 11.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | US6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok