Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN2A01FE-Y(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN2A01FE
HN2A01FE-Y(TE85L,F Hakkında
HN2A01FE-Y, Toshiba tarafından üretilen dual PNP transistör dizisidir. Surface mount SOT-563/SOT-666 paketinde sunulan bu komponentin maksimum kollektör akımı 150mA, maksimum power dissipation 100mW'tır. 50V Collector-Emitter breakdown voltajı ile düşük sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 120 minimum değere sahiptir. 80MHz transition frequency ile sinyal işleme devrelerinde, ses frekans amplifikatörlerinde ve kontrol devreleri için uygun bir seçenektir. Düşük güç tüketimi nedeniyle taşınabilir cihazlar ve battery-powered sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok