Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

HN1C01FE-Y,LXHF

AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
HN1C01FE

HN1C01FE-Y,LXHF Hakkında

HN1C01FE-Y,LXHF, Toshiba tarafından üretilen AEC-Q200 sertifikalı dual NPN transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 Surface Mount pakajında sunulan bu bileşen, maksimum 150mA kolektör akımı ve 50V VCEO yıkılma gerilimi ile tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency ve 120 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mW maksimum güç kapasitesi ve -40°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığı, otomotiv ve endüstriyel elektronik sistemlerinde güvenilir çalışma sağlar. Düşük kolektör kapalı akımı (100nA maksimum) ve 250mV saturasyon gerilimi (10mA base, 100mA collector akımında) ile verimli anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok