Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN1C01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF Hakkında
HN1C01FE-GR,LXHF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. İki adet NPN transistörü içeren bu komponent, 50V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ile çalışır ve maksimum 150mA collector akımına dayanıklıdır. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun özelliktedir. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu sağlar. 100mW maksimum güç tüketimi ile düşük enerji gerektiren devreler için uygundur. Vce saturation 250mV (10mA/100mA'da) olup, saturasyon rejimine yakın çalışmada tercih edilir. AEC-Q sertifikalı olması nedeniyle otomotiv endüstrisine uygun tasarımlanmıştır. SOT-563/SOT-666 SMD paketinde sunulur ve -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Sinyal işleme, kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok