Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

HN1C01FE-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
HN1C01FE

HN1C01FE-GR,LF Hakkında

HN1C01FE-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. Surface mount SOT-563/SOT-666 paketi içinde iki adet NPN transistör barındırır. Maksimum 50V Vce (Collector-Emitter Breakdown) ile çalışabilen bu komponent, 150mA kollektor akımı kapasitesine sahiptir. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 100mW güç sınırlaması ile düşük güçlü sinyal işleme, ses amplifikasyonu, TTL/CMOS arayüz uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. DC Current Gain (hFE) minimum 200 (2mA, 6V koşullarında) ile ön amplifikasyon ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok