Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN1B04FE-Y,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN1B04FE
HN1B04FE-Y,LF Hakkında
HN1B04FE-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN/PNP bipolar transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) surface mount paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektör akımı 150mA, maksimum voltajı 50V'tur. 80MHz geçiş frekansı ve minimum 120 (hFE) akım kazancı ile sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mW güç yayılımı kapasitesine sahip olan HN1B04FE, düşük seviye entegre devreler, amplifikatör topluluğu ve ses işleme devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak yer alır. 150°C'ye kadar yüksek sıcaklık ortamlarında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok