Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN1B04FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN1B04FE
HN1B04FE-GR,LXHF Hakkında
HN1B04FE-GR,LXHF, Toshiba tarafından üretilen NPN ve PNP transistör dizisidir. AEC-Q200 otomotiv kalifikasyonuna sahip bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 50V VCEO (Collector-Emitter Breakdown Voltage) ve 150mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC current gain (hFE) değeri 2mA/6V koşullarında minimum 200'dür. 100mW maksimum güç derecelendirilmesi ile sınırlı güç tüketimi olan tasarımlara uygun hale getirilmiştir. SOT-563 ve SOT-666 SMD paketlerde sunulmaktadır. Otomotiv endüstrisi, tüketici elektroniği ve uydu kontrol devrelerinde kullanılan tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok