Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN1B04FE-GR,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN1B04FE
HN1B04FE-GR,LF Hakkında
HN1B04FE-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN/PNP transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum collector-emitter voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 80MHz transition frekansı ve 200 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile işaret amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli devrelere uygundur. 250mV maksimum VCE saturation voltajı hızlı anahtarlama sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) güvenilir performans sunar. Yaygın olarak ses frekans amplifikatörleri, dar-bant RC osilatörleri ve anahtarlama devreleri tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok