Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

HN1B01FU-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
HN1B01FU

HN1B01FU-GR,LF Hakkında

HN1B01FU-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen bir bipolar junction transistör (BJT) dizisidir. NPN ve PNP transistörleri içeren bu komponent, düşük seviye sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter gerilimi ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışan cihaz, 150MHz transition frequency'si sayesinde hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. 200-210mW güç disipasyonu kapasitesi ile analog ve dijital devre tasarımında, özellikle ses amplifikasyonu, sinyal yükseltme, lojik seviye dönüştürme ve kompakt sinyal işleme modüllerinde tercih edilir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) paketinde sunulan komponent, yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalar için uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 200mW, 210mW
Supplier Device Package US6
Transistor Type NPN, PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok