Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
HN1A01FE-Y,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- HN1A01FE
HN1A01FE-Y,LF Hakkında
HN1A01FE-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen dual PNP transistör dizisidir. Surface mount ES6 (SOT-563/SOT-666) paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100mW güç sınırlaması ve 80MHz transition frequency özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC current gain (hFE) minimum 120 değeri 2mA/6V koşullarında belirtilmiştir. 300mV saturation voltajı ile düşük sıcaklık katsayısı gerektiren devreler için uygundur. Tüketici elektroniği, sinyal işleme ve kontrol devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok