Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

HN1A01FE-GR,LF

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
HN1A01FE

HN1A01FE-GR,LF Hakkında

HN1A01FE-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen dual PNP transistör dizisidir. Surface mount ES6 (SOT-563/SOT-666) paketinde sunulan bu komponentin maksimum kolektor akımı 150mA, kolektor-emitter gerilim dayanıklılığı 50V'tir. 100mW güç kapasitesi ve 80MHz transition frekansı ile düşük sinyalli amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 200 (2mA, 6V koşullarında), doyum gerilimi 300mV'dir (10mA taban akımı, 100mA kolektor akımında). -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri, düşük güçlü anahtarlama ve genel amaçlı analog uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 80MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok