Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP5N120BND
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP5N120BND
HGTP5N120BND Hakkında
HGTP5N120BND, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V kolektör-emiter breakdown voltajı ve maksimum 21A DC kolektör akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. 53nC gate charge ve 22ns/160ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Pulsed akım 40A'ye kadar çıkabilir. Enerji tüketimi 450µJ (açılış) ve 390µJ (kapanış) ile bellidir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel motor kontrol, UPS sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında yer alır. Not For New Designs statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 53 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok