Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP3N60B3
7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP3N60B3
HGTP3N60B3 Hakkında
HGTP3N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen 7A, 600V kapasiteli N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 33.3W maksimum güç disipasyonuna ve 2.1V Vce(on) değerine sahiptir. 16ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleri (on: 66µJ, off: 88µJ) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge 21nC'dir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri, invertör uygulamaları ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye direkt monte edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 33.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 16 ns |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Switching Energy | 66µJ (on), 88µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/105ns |
| Test Condition | 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok