Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP3N60A4D
N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP3N60A4D
HGTP3N60A4D Hakkında
HGTP3N60A4D, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistörüdür. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ile medium-voltage uygulamalarda kullanılır. Maksimum 17A sürekli akım ve 40A pulsed akım kapasitesi ile güç elektronik devrelerde anahtarlama elemanı olarak çalışır. 70W maksimum güç dağıtımı ve düşük Vce(on) (2.7V @ 15V, 3A) ile verim kayıplarını azaltır. 29ns reverse recovery time ve 37µJ on-switching enerjisi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. TO-220-3 paketinde üretime alınmış olan bu transistör, indüktif yükler, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ortamlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 70 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 29 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok