Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP3N60A4
IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP3N60A4
HGTP3N60A4 Hakkında
HGTP3N60A4, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 17A sürekli kolektör akımı ve 40A nabız akımı kapasitesine sahiptir. 70W maksimum güç sınırlaması ile tasarlanan cihaz, standart giriş tipi ve 15V gate sürüşü ile çalışır. Switching enerji değerleri 37µJ (açılış) ve 25µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük gate charge (21nC) ve kısa anahtarlama zamanları (6ns on, 73ns off) ile hızlı komütasyon sağlar. Enerji dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 21 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 70 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok