Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP2N120CN
IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP2N120CN
HGTP2N120CN Hakkında
HGTP2N120CN, onsemi tarafından üretilen 1200V/13A kapasiteli NPT tipi IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kollektor-emitter gerilimini kontrol etmek için tasarlanmıştır. 104W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 30nC gate charge değerine sahiptir. Düşük Vce(on) (2.4V @ 15V, 2.6A) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 96µJ açılış ve 355µJ kapanış enerji değerleri ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç elektronikleri, invertör, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 96µJ (on), 355µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/205ns |
| Test Condition | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok