Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP20N60A4
IGBT 600V 70A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP20N60A4
HGTP20N60A4 Hakkında
HGTP20N60A4, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V/70A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve orta akım uygulamalarında kullanılan bir güç anahtarı elemanıdır. Maksimum 280A darbe akımına sahip transistör, 142nC gate charge değeri ile kontrol uygulamalarında etkindir. Vce(on) değeri 2.7V olup, 15V gate voltajında 20A kolektör akımında ölçülmüştür. 105µJ açılış ve 150µJ kapanış switching enerjisi ile sahip olan bileşen, endüstriyel inverterler, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve güç kaynağı sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 280 A |
| Gate Charge | 142 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 290 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/73ns |
| Test Condition | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok