Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP15N50E1
15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP15N50E1
HGTP15N50E1 Hakkında
HGTP15N50E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 15A, 500V rated N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. Maximum 75W güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 35A pulse akımı ve 33nC gate charge karakteristiğine sahiptir. VCE(on) değeri 20V gate voltajında 35A'de 3.2V'dur. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığıyla, endüstriyel kontrol uygulamaları, motor sürücüleri, dc-dc dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok