Transistörler - IGBT - Tekil

HGTP12N60C3D

IGBT 600V 24A TO220-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D Hakkında

HGTP12N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 24A DC kolektör akımı ve 96A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 104W güç disipasyonuna olanak tanıyan transistör, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 380µJ turn-on ve 900µJ turn-off anahtarlama enerjisi ile endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, kaynak makineleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sağlayan IGBT, 48nC gate charge ve 40ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. 15V gate voltajında 15A kolektör akımında 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 24 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 96 A
Gate Charge 48 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power - Max 104 W
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns
Supplier Device Package TO-220-3
Switching Energy 380µJ (on), 900µJ (off)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok