Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP12N60C3
IGBT 600V 24A 104W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP12N60C3
HGTP12N60C3 Hakkında
HGTP12N60C3, onsemi tarafından üretilen 600V 24A rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 104W güç tüketimiyle tasarlanmıştır. 96A pulse collector akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 48nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleri ile verimli komütasyon sağlar. 380µJ açılma ve 900µJ kapanma switching enerjisiyle AC motor kontrolü, güç kaynakları, kaynak makinaları ve endüstriyel inverter uygulamalarında yer bulur. -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 24 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 48 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 104 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok