Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP12N60A4D
IGBT 600V 54A TO220-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP12N60A4D
HGTP12N60A4D Hakkında
HGTP12N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V/54A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paket formatında sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 167W maksimum güç yeteneği, 78nC gate charge ve 30ns reverse recovery time özellikleri ile enerji dönüştürme, DC-AC inverter, motor sürücü ve güç kaynağı topololojilerinde yer alır. Vce(on) değeri 2.7V@15V/12A olup, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Switching energy değerleri (55µJ on, 50µJ off) ve hızlı açılış/kapanış süreleri (17ns/96ns) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında etkili komutasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok