Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP10N50E1D
17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP10N50E1D
HGTP10N50E1D Hakkında
HGTP10N50E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 17.5A maksimum collector akımı ve 500V kırılma gerilimi özellikleri ile çalışan N-Channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, endüstriyel güç kontrol uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 3.2V maksimum Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 19 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 75W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17.5 A |
| Gate Charge | 19 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok