Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP10N50E1
10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP10N50E1
HGTP10N50E1 Hakkında
HGTP10N50E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 500V N-channel IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç kapasitesiyle düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 3.2V Vce(on) değeri ile hızlı anahtarlama operasyonları gerçekleştiren bu transistör, -55°C ile 150°C arasında güvenle çalışabilir. Pulsed kolektör akımı 17.5A'ye kadar çıkabilen cihaz, endüstriyel kontrol, motor sürücü devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through Hole montaj tipi, prototip ve seri üretime uygun tasarımı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 17.5 A |
| Gate Charge | 19 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok