Transistörler - IGBT - Tekil

HGTP10N40F1D

12A, 400V, N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HGTP10N40F1D

HGTP10N40F1D Hakkında

HGTP10N40F1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A kolektör akımı ve 400V kırılma gerilimi ile çalışan N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç kapasitesi, 2.5V Vce(on) değeri ve 13.4nC geçit yükü ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. İnverter, motor sürücü, kaynak makinesi ve indüktif yükler gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 12 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 12 A
Gate Charge 13.4 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 75 W
Supplier Device Package TO-220
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 10V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok