Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP10N40E1D
17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP10N40E1
HGTP10N40E1D Hakkında
HGTP10N40E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 17.5A maksimum kollektör akımı ve 400V breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-220-3 paket içinde gelen bu bileşen, 3.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 75W maksimum güç derecelendirmesi ile uygulamalarda kullanılan bu IGBT, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. 19 nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliği taşır ve delinmiş delik monte edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 17.5 A |
| Gate Charge | 19 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok