Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP10N40E1
10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP10N40E1
HGTP10N40E1 Hakkında
HGTP10N40E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V N-Channel IGBT transistörüdür. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 60W güç kapasitesine sahiptir. Collector akımı maksimum 10A, pulse akımı ise 17.5A'dir. 19nC gate charge ve 3.2V @ 20V, 17.5A Vce(on) değerleri ile düşük açılma kaybı sağlar. 400V breakdown voltajı ile endüstriyel uygulamalarda güvenli kullanım imkanı verir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında çalışan sistemlerde tercih edilmesini sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücü tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 17.5 A |
| Gate Charge | 19 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok