Transistörler - IGBT - Tekil

HGTP10N40C1

10A, 400V, N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HGTP10N40C1

HGTP10N40C1 Hakkında

HGTP10N40C1, Rochester Electronics tarafından üretilen 10A, 400V N-Channel IGBT transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 17.5A peak collector akımı ve 3.2V on-state gerilimi ile güç elektronikleri devrelerinde, motor kontrolü, invertör, değiştirici (DC-DC converter) ve kaynak uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 400V collector-emitter breakdown gerilimi olan bu transistör, 60W maksimum güç dağılımına sahiptir. 19 nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 10 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 17.5 A
Gate Charge 19 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 60 W
Supplier Device Package TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 20V, 17.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok