Transistörler - IGBT - Tekil
HGTP10N120BN
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTP10N120BN
HGTP10N120BN Hakkında
HGTP10N120BN, onsemi tarafından üretilen 1200V yüksek voltaj IGBT transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 35A sürekli ve 80A darbe kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 298W güç yeteneği ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. NPT tipi IGBT yapısı sayesinde düşük Vce(on) değeri (15V, 10A'de 2.7V) sağlar. Yüksek voltajlı DC-DC konverterler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç elektronik sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not For New Designs durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 298 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok