Transistörler - IGBT - Tekil
HGTH20N50E1D
20A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTH20N50E1
HGTH20N50E1D Hakkında
HGTH20N50E1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 20A, 500V N-Channel IGBT transistördür. TO-218-3 Isolated Tab paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500V yıkım gerilimi ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç elektronikleri devreleri için uygundur. 35A darbe kolektör akımı kapasitesi ile geçici yükleme koşullarında işletilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans sağlar. 33nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | TO-218 Isolated |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok