Transistörler - IGBT - Tekil
HGTH20N50E1
20A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTH20N50E1
HGTH20N50E1 Hakkında
HGTH20N50E1, Rochester Electronics tarafından üretilen 20A, 500V kapasiteli N-Channel IGBT transistördür. TO-218-3 Isolated Tab paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maximum 100W güç yönetebilen transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 33 nC gate charge değeri ve 3.2V on-state voltajı ile etkili anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel motor kontrol, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. Standard giriş tipine sahip olan komponent, yüksek güç yoğunluklu uygulamalar için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 35 A |
| Gate Charge | 33 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | TO-218 Isolated |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 35A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok