Transistörler - IGBT - Tekil
HGTH12N50C1D
12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-218-3 Isolated Tab
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTH12N50C1D
HGTH12N50C1D Hakkında
HGTH12N50C1D, Rochester Electronics tarafından üretilen 12A sürekli akım kapasitesine ve 500V collector-emitter breakdown voltajına sahip N-channel IGBT transistördür. TO-218 izole tab paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 75W güç harcaması ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 3.2V on-state voltajı ve 19nC gate charge değerleriyle düşük kayıplı anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel güç elektroniği, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve switched mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile devre kartlarına direkt yerleşim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 17.5 A |
| Gate Charge | 19 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Supplier Device Package | TO-218 Isolated |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok