Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG7N60A4D
IGBT 600V 34A 125W TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG7N60A4D
HGTG7N60A4D Hakkında
HGTG7N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 34A sürekli kollektör akımı ve 56A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum disipasyon gücü ve 2.7V Vce(on) değeri ile endüstriyel motorlar, güç kaynakları, şarj cihazları ve inverter uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. 37nC gate charge ve hızlı switching karakteristiği (11ns açılış, 100ns kapanış) enerji verimliliği sunar. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 34 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Gate Charge | 37 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/100ns |
| Test Condition | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok