Transistörler - IGBT - Tekil

HGTG5N120BND

IGBT NPT 1200V 21A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND Hakkında

HGTG5N120BND, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu komponent, maksimum 21A collector akımı ve 40A pulsed akım kapasitesi ile çalışır. 53nC gate charge ve 450µJ on-state / 390µJ off-state switching energy'si ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce(on) maksimum değeri 2.7V (15V, 5A şartlarında) olup, 1200V breakdown voltajı ile yüksek voltaj ortamlarında güvenli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel sürücüler, invertörler, AC/DC güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Not For New Designs statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda yerini modern IGBT'lere bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 21 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A
Gate Charge 53 nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power - Max 167 W
Reverse Recovery Time (trr) 65 ns
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns
Test Condition 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok