Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG40N60A4
IGBT 600V 75A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG40N60A4
HGTG40N60A4 Hakkında
HGTG40N60A4, onsemi tarafından üretilen 600V 75A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, Vce(on) değeri 2.7V (15V, 40A koşullarında) olup 25ns açılış ve 145ns kapanış sürelerine sahiptir. Maksimum gate charge 350nC, pulse akımı 300A'dir. Çalışma sıcaklığı -55°C ile 150°C arasındadır. Anahtarlama enerjisi on için 400µJ, off için 370µJ'dir. 625W maksimum güç yönetebilen bu komponent, güç elektroniği uygulamalarında, motor kontrolü, şarj sistemleri ve inverter devrelerinde kullanılır. Dikkat: Parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 350 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 625 W |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 400µJ (on), 370µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/145ns |
| Test Condition | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok