Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG32N60E2
50A, 600V N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG32N60E2
HGTG32N60E2 Hakkında
HGTG32N60E2, Rochester Electronics tarafından üretilen 50A/600V N-channel IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 208W güç kapasitesine sahiptir. 265nC gate charge ve 2.9V Vce(on) değerleriyle şekillendirilen bu transistör, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 200A pulse collector akımı destekler. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, invertör uygulamaları ve motor kontrolü sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 265 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 208 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 32A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok