Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG30N60C3D
IGBT 600V 63A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG30N60C3D
HGTG30N60C3D Hakkında
HGTG30N60C3D, onsemi tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 63A sürekli collector akımı ve 252A pulslu akımla çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 30A akımında 1.8V olarak belirtilmiştir. 1.05mJ açılış ve 2.5mJ kapanış switching enerji değerleriyle düşük kayıplı anahtarlama performansı sağlar. 162nC gate charge ve 60ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özellikleri vardır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, güç dönüştürücü, inverter ve welding sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Maksimum 208W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 63 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 252 A |
| Gate Charge | 162 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 208 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok