Transistörler - IGBT - Tekil

HGTG27N60C3DR

UFS SERIES N-CHANNEL IGBT

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
HGTG27N60C3DR

HGTG27N60C3DR Hakkında

HGTG27N60C3DR, Rochester Electronics tarafından üretilen UFS serisi N-Channel IGBT transistördür. 600V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 54A maksimum collector akımı ile endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, inverter ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 54 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 108 A
Gate Charge 212 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 208 W
Supplier Device Package TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 27A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok