Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG27N120BN
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG27N120BN
HGTG27N120BN Hakkında
HGTG27N120BN, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V NPT tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 72A collector akımı ve 216A pulsed akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 through-hole paketi ile montaj kolaylığı sağlar. 500W maksimum güç dağıtımı ve 2.7V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverterler ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 270nC gate charge ve 24ns/195ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 72 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 216 A |
| Gate Charge | 270 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 2.2mJ (on), 2.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/195ns |
| Test Condition | 960V, 27A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 27A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok