Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG20N60B3
IGBT 600V 40A 165W TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG20N60B3
HGTG20N60B3 Hakkında
HGTG20N60B3, onsemi tarafından üretilen 600V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40A sürekli collector akımı ve 160A pulse akımı ile tasarlanmıştır. 165W maksimum güç değeri ile endüstriyel uygulamalarda anahtarlama işlemlerinde kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 20A akım için 2V'tir. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate charge karakteristiği (80nC) ile hızlı komütasyonu destekler. Şu anda üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır. Güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 475µJ (on), 1.05mJ (off) |
| Test Condition | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok