Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG20N60B3
N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG20N60B3
HGTG20N60B3 Hakkında
HGTG20N60B3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve maksimum 40A DC kollektör akımı ile çalışabilen bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabildir. 165W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 80nC gate charge değeri ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertör devreleri ve AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 80 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 165 W |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 475µJ (on), 1.05mJ (off) |
| Test Condition | 480V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok