Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG12N60C3DR
UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG12N60C3DR
HGTG12N60C3DR Hakkında
HGTG12N60C3DR, Rochester Electronics tarafından üretilen UFS serisi N-Channel IGBT transistörüdür. 600V reverse breakdown voltajı ve 24A maksimum collector akımı ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 104W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrolü, güç inverterleri, DC-DC konvertörleri ve şebeke bağlantılı uygulamalarda yer alır. 37ns reverse recovery time ve 71nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 24 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 48 A |
| Gate Charge | 71 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 104 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Switching Energy | 400µJ (on), 340µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 37ns/120ns |
| Test Condition | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok