Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG12N60A4D
IGBT 600V 54A 167W TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D Hakkında
HGTG12N60A4D, onsemi tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 54A nominal collector akımı ve 96A pulse akımı kapasitesiyle tasarlanan bu transistör, 167W maksimum dissipasyon gücüne sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 390V/12A test koşullarında 2.7V Vce(on) değeri gösterir. Reverse recovery time 30ns ve switching energy değerleri (55µJ on, 50µJ off) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, welding equipment ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 78nC gate charge değeri ile kontrol devresi tasarımı kolaylaştırılmıştır. Son üretim süreci (Last Time Buy) olarak tanımlanan ürün, TO-247-3 montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 96 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok