Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG11N120CND
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG11N120CND
HGTG11N120CND Hakkında
HGTG11N120CND, onsemi tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V kollektör-emiter gerilimi ve 43A (pulslu 80A) maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100nC gate charge ve 950µJ açılış/1.3mJ kapanış switching enerji değerleri ile karakterizedir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. İnverter, motor sürücü, kaynak makineleri ve endüstriyel güç elektronik devreleri gibi ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün, yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 43 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 298 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 950µJ (on), 1.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/180ns |
| Test Condition | 960V, 11A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 11A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok