Transistörler - IGBT - Tekil
HGTG10N120BND
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTG10N120BN
HGTG10N120BND Hakkında
HGTG10N120BND, Rochester Electronics tarafından üretilen NPT tipi IGBT transistördür. 1200V collector-emitter gerilimi ve 35A sürekli collector akımı ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. 100nC gate şarjı ile hızlı komütasyon sağlar. Maksimum 298W güç kapasitesine sahip olup, ön kenar gecikmesi 23ns, arka kenar gecikmesi 165ns'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Part Status: Not For New Designs - yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 298 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 850µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok