Transistörler - IGBT - Tekil
HGTD8P50G1S
8A, 500V P-CHANNEL IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HGTD8P50G1S
HGTD8P50G1S Hakkında
HGTD8P50G1S, Rochester Electronics tarafından üretilen 8A nominal akım ve 500V kesici gerilime sahip P-Channel IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 12A sürekli ve 18A darbe akımını yönetebilir. 2.9V @ 15V, 3A açık hal gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sunar. 30nC gate charge karakteristiği sayesinde hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları, DC-DC converterleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır. 66W maksimum güç yönetim kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 30 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 66 W |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok